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供应 鹏城半导体 热丝法化学气相沉积CVD金刚石 单双面镀膜

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价格: 面议
圆形平面工作的尺寸: φ600mm
热丝温度: 1800℃~ 2500℃ 可调
样品台: 可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ,由调速电机控制,可实现自动升降
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
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公司基本资料信息
 
 
产品详细说明

热丝法化学气相沉积CVD金刚石(热丝CVD金刚石设备)

鹏城半导体研发设计制造了热丝CVD金刚石设备,分为实验型设备和生产型设备两类。

设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。可用于力学级别、热学级别、光学级别、声学级别的金刚石产品的研发生产。

可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片,用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉。

可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层;环保领域污水处理用的金刚石产品。

可用于平面工件的金刚石薄膜制备,也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。

可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。

工件尺寸

圆形平面工作的尺寸:φ600mm。

矩形工作尺寸的宽度1000mm/长度可根据镀膜室的长度确定(如:工件长度1500mm)。

配置水样品台。

可单面镀膜也可双面镀膜。

热丝电源功率

可达300KW,1KW ~300KW可调(可根据用户工艺需求配置功率范围)

设备安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护

-设置水压检测与报警保护装置

-设置水流检测报警装置

设备构成

真空室构成

双层水冷结构,立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门,真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。

热丝

热丝材料:钽丝、或钨丝

热丝温度:1800℃~ 2500℃ 可调

热丝不塌腰(解决了热丝长时间加热塌腰的问题)

样品台

可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ,由调速电机控制,可实现自动升降,(热丝与衬底间距在5 ~ 100mm范围内可调),要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。

工作气路(CVD)

工作气路根据用户工艺要求配置:

下面气体配置是某一用户的配置案例。

H2(5000sccm,浓度100%)

CH4(200sccm,浓度100%)

B2H6(50sccm,H2浓度99%)

Ar(1000sccm,浓度100%)

真空获得及测量系统

控制系统及软件


关于我们

鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

公司核心业务是微纳技术与精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。

公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。

公司已投放市场的部分半导体设备

|物理气相沉积(PVD)系列

磁控溅射、电子束、热蒸发镀膜机、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机

|化学气相沉积(CVD)系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机

|超高真空系列

分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)

|太阳能薄膜电池设备(PECVD+磁控溅射)

团簇式太阳能薄膜电池中试线

|团簇式OLED中试与科研设备(G1、G2.5)

|其它

金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备

|真空专用电源

高精度束源炉电源、高能脉冲电源、直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源

团队部分业绩分布

完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到8.0×10^-9Pa。

设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。

设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。

采用热丝法,设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与生产。还可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。现使用单位中科院金属研究所、哈尔滨工业大学(深圳)。

设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。

设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。

设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。

设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。

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