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供应 鹏城半导体 电子束蒸镀机 非标定制

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价格: 面议
极限真空: 7×10^-5Pa~7×10^-6Pa
设备总体漏放率: 关机12小时,≤10Pa
恢复工作真空时间短: 大气至7×10^-4Pa≤30分钟;
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
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公司基本资料信息
 
 
产品详细说明

高真空电子束蒸发镀膜机(电子束蒸镀机)是在高真空条件下,采用电子束轰击材料加热蒸发的方法,在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等;可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜;可镀各种高熔点材料。

可用于生产、科学实验及教学,可根据用户要求专门订制。

可根据用户使用要求,选配石英晶体膜厚仪自动控制及光学膜厚仪自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等,从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。

设备特点

设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点,配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温,具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。

可根据用户使用要求,选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等,从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。

真空性能

极限真空:7×10^-5Pa~7×10^-6Pa

设备总体漏放率:关机12小时,≤10Pa

恢复工作真空时间短,大气至7×10^-4Pa≤30分钟;

设备构成

E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件(可选配)、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构,膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。

可选件:膜厚监控仪,恒温制冷水箱。

热蒸发源种类及配置

E 型电子束蒸发系统 1套
功率 6kW~10kW 其它功率(可根据用户要求选配)
坩埚 1~8只 可根据用户要求选配
电阻热蒸发源组件 1~4套 (可根据用户要求配装)

电阻热蒸发源种类

-钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件

-石英舟热蒸发源组件

-钨极或钨蓝热蒸发源组件

-钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚)

-束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)

操作方式

手动、半自动


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关于我们

鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点,寻求创新yin*ling与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

鹏城微纳技术(沈阳)有限公司是鹏城半导体技术(深圳)有限公司全资子公司,是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。

公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造,可为用户提供工艺研发和打样,可为生产企业提供生产型设备,可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整,有工程师哈工大教授和博士,为核心的高水平材料研究和工艺研究团队,还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

公司团队技术储备及创新能力

2024~2026

-与军工和核工业客户合作取得突破(核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长

-鹏城微纳子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层

-高新技术企业

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关;

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573;

-创新型中小企业;

-获50+项相关zhuan*li;

-企业信用评价AAA级信用企业;ISO三ti*xi*ren*zheng;

-子公司晶源半导体成立

2022

-子公司鹏城微纳成立

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书

2021

-鹏城半导体技术(深圳)有限公司成立

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2017

-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2007

-设计超高温CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)

2005

-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备),用于外延光电半导体材料

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

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