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鹏城半导体 热丝CVD金刚石制备设备 PC-005

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价格: 面议
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
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公司基本资料信息
 
 
产品详细说明


热丝法化学气相沉积CVD金刚石(热丝CVD金刚石设备)

鹏城半导体研发设计制造了热丝CVD金刚石设备,分为实验型设备和生产型设备两类。

设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。可用于力学级、热学级、光学级、声学级的金刚石产品的研发生产。

可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片,用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉。

可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层;环保领域污水处理用的金刚石产品。

可用于平面工件的金刚石薄膜制备,也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。

可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。

工件尺寸

圆形平面工件的尺寸:φ550mm。

矩形工件尺寸的宽度550mm;

矩形工件尺寸的长度可根据镀膜室的长度确定(如:工件长度1200mm)。

配置水冷样品台。

可单面镀膜也可双面镀膜。

热丝电源功率

可达300KW,1KW ~300KW可调(可根据用户工艺需求配置功率范围)

设备安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护

-设置水压检测与报警保护装置

-设置水流检测报警装置

设备构成

真空室构成

双层水冷结构,立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门。

真空尺寸:根据工件尺寸和数量确定。

热丝

热丝材料:钽丝、或钨丝

热丝温度:1800℃~ 2500℃ 可调

热丝不塌腰(解决了热丝长时间加热塌腰的问题)

样品台

可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ,由调速电机控制,可实现自动升降,(热丝与衬底间距在5 ~ 100mm范围内可调),要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。

金刚石薄膜生产线

工作气路(CVD)

工作气路根据用户工艺要求配置:

下面气体配置是某一用户的配置案例。

H2(5000sccm,浓度100%)

CH4(200sccm,浓度100%)

B2H6(50sccm,H2浓度99%)

Ar(1000sccm,浓度100%)

真空获得及测量系统

控制系统及软件



关于我们

鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点,寻求创新yin*ling与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

鹏城微纳技术(沈阳)有限公司是鹏城半导体技术(深圳)有限公司全资子公司,是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。

公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造,可为用户提供工艺研发和打样,可为生产企业提供生产型设备,可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整,有工程师哈工大教授和博士,为核心的高水平材料研究和工艺研究团队,还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

公司团队技术储备及创新能力

2024~2026

-与军工和核工业客户合作取得突破(核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长

-鹏城微纳子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层

-高新技术企业

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关;

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573;

-创新型中小企业;

-获50+项相关zhuan*li;

-企业信用评价AAA级信用企业;ISO三ti*xi*ren*zheng;

-子公司晶源半导体成立

2022

-子公司鹏城微纳成立

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书

2021

-鹏城半导体技术(深圳)有限公司成立

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2017

-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2007

-设计超高温CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)

2005

-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备),用于外延光电半导体材料

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

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