生产型 高真空磁控溅射/离子辅助/多弧复合镀膜机( PVD-1000S系列 )该设备广泛应用于铣刀、钻头、轴承、齿轮、镜片等表面的硬质耐磨涂层制备,集成了工件表面处理、离子清洗、颗粒物控制、磁控溅射、离子辅助镀膜及反应溅射镀膜等工艺方法于一体的PVD设备。
可以制备单层膜、多层膜、掺杂膜、金属膜及合金膜、化合物薄膜等。
设备结构及性能参数
设备由PVD镀膜室、集成封闭机柜、分子泵+旋片泵真空机组、真空测量系统、工艺气路系统、磁控溅射靶、直线型离子源、工件架、靶挡板、工件旋转机构、脉冲直流电源、高能量脉冲电源、中频电源、射频电源、偏压电源、离子辅助镀膜电源及控制系统、检测及报警保护系统、水冷管路系统、循环制冷恒温水箱、计算机+PLC 两级控制系统组成。
- 整机外形尺寸:2500mm X 2500mm X 2000mm。也可根据用户产能规模定制尺寸。
- 磁控溅射靶为矩形,靶面尺寸80mm X 300mm,沿真空室壁的圆周排列,可以随时在线调整靶面与样片的距离,靶头伸缩距离150mm。
也可根据用户工件尺寸,配置不同的靶材尺寸。
- 直线型离子源沿真空室壁的圆周排列,数量两组,工作气压0.1-0.3Pa,能量200-5000eV可调,束流强度0.2-1A。
- 工件架为圆筒形结构,工件沿圆周排列,每个工位工件既自转又公转。样品装载数量大;旋转运动运行平稳,无抖动;密封可靠。
- 工件可加偏压。
- 加热系统采用红外加热器,对真空环境无污染,加热均匀;具有PID功能的智能温控仪控制加热功率。工件最高可加热至500摄氏度。
设备重点性能参数
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极限真空度 |
7X10^-5Pa |
| 工作背景真空度 | 8X10^-4Pa |
| 工作背景真空到达时间 | <30min(空气湿度低于45%;开门时间<30min条件下从大气抽到工作真空度时间) |
| 保压 | 关机12小时保压<10Pa |
| 溅射室外形尺寸 | 直径 875mm X 高度 1000mm |
| 整机尺寸 | 长 2500mm X 宽 2500mm X 高 2000mm |
| 样品加热温度 | 室温~500℃ |
| 样品架公转速度 | 0;3~12r/min连续可调 |
| 片内膜层均匀性 | <5% |
| 片间膜层均匀性 | <5% |
| 磁控靶数量 | 4靶(可根据用户工艺扩展靶位) |
| 直线型离子源 | 2靶 |
| 磁控靶规格 | 80mm X 300mm |
| 靶材规格 | 80mm X 100mm X 8mm |
关于我们
鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点,寻求创新yin*ling与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术(沈阳)有限公司是鹏城半导体技术(深圳)有限公司全资子公司,是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造,可为用户提供工艺研发和打样,可为生产企业提供生产型设备,可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整,有工程师哈工大教授和博士,为核心的高水平材料研究和工艺研究团队,还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与军工和核工业客户合作取得突破(核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长)
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-高新技术企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关;
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573;
-创新型中小企业;
-获50+项相关zhuan*li;
-企业信用评价AAA级信用企业;ISO三ti*xi*ren*zheng;
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立;
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书
2021
-鹏城半导体技术(深圳)有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计超高温CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)
2005
-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备),用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
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