鹏城半导体技术（深圳）有限公司

小型LPCVD设备

LPCVD是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

设备结构及特点

1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本

两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。

基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。

基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。

2、设备为水平管卧式结构

由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。

设备主要技术指标

成膜类型	Si3N4、Poly-Si、SiO2等
温度	1200℃
恒温区长度	根据用户需要配置
恒温区控温精度	≤±0.5℃
工作压强范围	13～1330Pa
膜层不均匀性	≤±5％
基片每次装载数量	标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干
压力控制	闭环充气式控制
装片方式	手动进出样品

生产型LPCVD设备简介

设备功能

该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

可提供相关镀膜工艺。

设备结构及特点：

设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。

整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。

设备主要技术指标

成膜类型	Si3N4、Poly-Si、SiO2等
温度	1200℃
恒温区长度	根据用户需要配置
恒温区控温精度	≤±0.5℃
工作压强范围	13～1330Pa
膜层不均匀性	≤±5％
基片每次装载数量	100片
设备总功率	16kW
冷却水用量	2m3/h
压力控制	闭环充气式控制
装片方式	悬臂舟自动送样

LPCVD软件控制界面

LPCVD工艺编制界面

LPCVD实时运行监控界面

LPCVD手动运行界面

LPCVD自动运行界面

关于我们

鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。

鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。

公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

公司团队技术储备及创新能力

2024~2026

-与军工和核工业客户合作取得突破（核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长）

-鹏城微纳子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层

-高新技术企业

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；

-创新型中小企业；

-获50+项相关zhuan*li；

-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三ti*xi*ren*zheng；

-子公司晶源半导体成立

2022

-子公司鹏城微纳成立；

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书

2021

-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2017

-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2007

-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）

2005

-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

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