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PECVD设备（等离子体增强化学气相沉积系统）主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。
双频技术，采用13.56MHZ射频电源和400KHZ中频电源。
射频电源用于控制等离子体的通量；中频电源用于控制等离子体的能量。
设备用途和功能特点
1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
3、配置尾气处理装置。
设备安全性设计
1、电力系统的检测与保护
2、设置真空检测与报警保护功能
3、温度检测与报警保护
4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护
设备技术指标
| 样片尺寸 | ≤φ8英寸（或多片2英寸） |
| 样片加热台加热温度 | 室温～ 600℃±0.1℃ |
| 真空室极限真空 | ≤7×10^-5Pa |
| 工作背景真空 | ≤8×10^-4Pa |
| 设备总体漏放率 | 停泵12小时后，真空度≤10Pa |
| 样品、电极间距 | 5mm ～ 50mm在线可调 |
| 工作控制压强 | 10Pa ～ 1500Pa |
| 气体控制回路 | 根据工艺要求配置 |
| 单频电源的频率 | 13.56MHz |
| 双频电源的频率 | 13.56MHz/400KHz |
工作条件
| 供电 | 三相五线制 AC 380V |
| 工作环境温度 | 10℃～ 40℃ |
| 气体阀门供气压力 | 0.5MPa ～ 0.7MPa |
| 质量流量控制器输入压力 | 0.05MPa ～ 0.2MPa |
| 冷却水循环量 | 0.6m3/h 水温18℃～ 25℃ |
| 设备总功率 | 7kW |
| 设备占地面积 | 2.0m ～ 2.0m |
PECVD及太阳能薄膜电池设备
关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与军工和核工业客户合作取得突破（核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-高新技术企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项相关zhuan*li；
-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三ti*xi*ren*zheng；
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2005
-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
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