点击图片查看原图
分子束外延薄膜生长设备MBE（分子束外延MBE设备）该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。
功能特点
本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。
可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。
设备组成与主要技术指标
设备的组成
进样室
该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。
预处理室
该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。
外延室
超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。
主要技术指标
进样室
极限真空：5.0×10∧-5Pa
样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）
预处理室
极限真空：5×10∧-7Pa
样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）
离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV
外延室
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 极限真空 | 离子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱辅助） |
| 样品台加热温度 | 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） |
| 样品自转速度 | 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） |
| 气态离化源 | 1～3套（氮） |
| 固态束源炉 | 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） |
| Rheed | 1套 |
*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。
实验型MBE（单基片）
设备组件
超高真空直线型电子枪
自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。
超高真空直线型电子枪
高能衍射枪及电源
束斑0.6mm，高压25kV。
光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。
生产型MBE（大尺寸单基片，多片小尺寸）
工艺实现
使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。
功能特点
本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。
自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。
可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。
经过二十几年的工艺探索， 设备不断升级， 已具备设计制造生产型 MBE设备的能力。设备配置合理，结构简单，技术先进，性能可靠，用途多， 实用性强， 性能价格比高。
设备组成与主要技术指标
设备的组成
进样室
该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。
预处理室
该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。
外延室
超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。
分子束外延薄膜生长设备（MBE）（分子束外延MBE）主要技术指标
进样室
极限真空：5.0×10-5Pa
样品装载数量：6片
预处理室
极限真空：5×10-7Pa
样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）
离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV
外延室
|
项目 |
参数 |
| 极限真空 | 离子泵8.0× 10-9 Pa（冷阱辅助）/低温泵 |
| 样品台加热温度 | 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） |
| 样品自转速度 | 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） |
| 气态离化源 | 1～2套（氮） |
| 固态束源炉 | 3 ～ 10 套（根据用户需求配置） |
| Rheed | 1套 |
*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。
实验型MBE（单基片）
设备组件
超高真空直线型电子枪
自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。
超高真空直线型电子枪
高能衍射枪及电源
束斑0.6mm，高压25kV。
光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。
生产型MBE（大尺寸 单基片，多片小尺寸）
工艺实现
使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。
关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与军工和核工业客户合作取得突破（核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-高新技术企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项相关zhuan*li；
-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三ti*xi*ren*zheng；
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2005
-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven
1/3/6/3/2/7/5/0/0/1/7