鹏城半导体技术（深圳）有限公司

可用于GaN，ZnO等的外延生长。

材料的输运采取了超纯的气路系统，源的切换和输入采用了多路组合阀进气技术。由于组合阀具有极小的死空间，使得源的残留量非常少，有利于生长具有陡峭界面的材料。

采用压差控制技术控制组合阀的旁路和主路之间的压力，大大降低了源的压力和浓度波动，有利于材料生长的重复性和稳定性。

采用了管道镶嵌式进气喷头，使反应源在衬底表面均匀混合并反应，大大降低了预反应的发生。

采用电阻式快速升降温加热炉。

关于我们

鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。

鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。

公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

公司团队技术储备及创新能力

2024~2026

-与军工和核工业客户合作取得突破（核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长）

-鹏城微纳子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层

-高新技术企业

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；

-创新型中小企业；

-获50+项相关zhuan*li；

-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三ti*xi*ren*zheng；

-子公司晶源半导体成立

2022

-子公司鹏城微纳成立；

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书

2021

-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2017

-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2007

-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）

2005

-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

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