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LPCVD低压化学气相沉积设备（科研型LPCVD）是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
设备结构及特点
1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。
基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
3、系统提供自动控制无扬尘装置
LPCVD设备主要技术指标
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类型 |
参数 |
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成膜类型 |
Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
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最高温度 |
1200℃ |
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恒温区长度 |
根据用户需要配置 |
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恒温区控温精度 |
≤±0.5℃ |
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工作压强范围 |
13～1330Pa |
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膜层不均匀性 |
≤±5％ |
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基片每次装载数量 |
标准基片：1～3片；不规则尺寸散片:若干 |
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压力控制 |
闭环充气式控制 |
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装片方式 |
手动进出样品 |
设备功能
该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相关镀膜工艺。
设备结构及特点：
设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标
|
类型 |
参数 |
|
成膜类型 |
Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
|
最高温度 |
1200℃ |
|
恒温区长度 |
根据用户需要配置 |
|
恒温区控温精度 |
≤±0.5℃ |
|
工作压强范围 |
13～1330Pa |
|
膜层不均匀性 |
≤±5％ |
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基片每次装载数量 |
100片 |
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设备总功率 |
16kW |
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冷却水用量 |
2m3/h |
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压力控制 |
闭环充气式控制 |
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装片方式 |
悬臂舟自动送样 |
LPCVD手动运行界面
LPCVD实时运行监控界面
LPCVD自动运行界面
LPCVD工艺编制界面
关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与军工和核工业客户合作取得突破（核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-高新技术企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项相关zhuan*li；
-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三ti*xi*ren*zheng；
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2005
-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
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