小型管式LPCVD设备简介
LPECVD是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
设备结构及特点
1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。
基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
设备主要技术指标
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类型
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参数
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成膜类型
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Si3N4、Poly-Si、SiO2等
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最高温度
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1200℃
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恒温区长度
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根据用户需要配置
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恒温区控温精度
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≤±0.5℃
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工作压强范围
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13～1330Pa
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膜层不均匀性
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≤±5％
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基片每次装载数量
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标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干
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压力控制
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闭环充气式控制
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装片方式
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手动进出样品
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生产型LPCVD设备简介
设备功能
该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相关镀膜工艺。
设备结构及特点：
设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; '="" style="box-sizing: border-box; border-width: 0px; border-style: solid; border-color: rgba(229, 231, 235, var(--tw-border-opacity)); --tw-translate-x: 0; --tw-translate-y: 0; --tw-rotate: 0; --tw-skew-x: 0; --tw-skew-y: 0; --tw-scale-x: 1; --tw-scale-y: 1; --tw-transform: translateX(var(--tw-translate-x)) translateY(var(--tw-translate-y)) rotate(var(--tw-rotate)) skewX(var(--tw-skew-x)) skewY(var(--tw-skew-y)) scaleX(var(--tw-scale-x)) scaleY(var(--tw-scale-y)); --tw-border-opacity: 1; --tw-ring-inset: var(--tw-empty); --tw-ring-offset-width: 0px; --tw-ring-offset-color: #fff; --tw-ring-color: rgba(59, 130, 246, 0.5); --tw-ring-offset-shadow: 0 0 #0000; --tw-ring-shadow: 0 0 #0000; --tw-shadow: 0 0 #0000; --tw-blur: var(--tw-empty); --tw-brightness: var(--tw-empty); --tw-contrast: var(--tw-empty); --tw-grayscale: var(--tw-empty); --tw-hue-rotate: var(--tw-empty); --tw-invert: var(--tw-empty); --tw-saturate: var(--tw-empty); --tw-sepia: var(--tw-empty); --tw-drop-shadow: var(--tw-empty); --tw-filter: var(--tw-blur) var(--tw-brightness) var(--tw-contrast) var(--tw-grayscale) var(--tw-hue-rotate) var(--tw-invert) var(--tw-saturate) var(--tw-sepia) var(--tw-drop-shadow); --tw-backdrop-blur: var(--tw-empty); --tw-backdrop-brightness: var(--tw-empty); --tw-backdrop-contrast: var(--tw-empty); --tw-backdrop-grayscale: var(--tw-empty); --tw-backdrop-hue-rotate: var(--tw-empty); --tw-backdrop-invert: var(--tw-empty); --tw-backdrop-opacity: var(--tw-empty); --tw-backdrop-saturate: var(--tw-empty); --tw-backdrop-sepia: var(--tw-empty); --tw-backdrop-filter: var(--tw-backdrop-blur) var(--tw-backdrop-brightness) var(--tw-backdrop-contrast) var(--tw-backdrop-grayscale) var(--tw-backdrop-hue-rotate) var(--tw-backdrop-invert) var(--tw-backdrop-opacity) var(--tw-backdrop-saturate) var(--tw-backdrop-sepia);">设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标
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类型
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参数
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成膜类型
|
Si3N4、Poly-Si、SiO2等
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|
最高温度
|
1200℃
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恒温区长度
|
根据用户需要配置
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恒温区控温精度
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≤±0.5℃
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工作压强范围
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13～1330Pa
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膜层不均匀性
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≤±5％
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基片每次装载数量
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100片
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设备总功率
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16kW
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冷却水用量
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2m3/h
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压力控制
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闭环充气式控制
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装片方式
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悬臂舟自动送样
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LPCVD软件控制界面
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