鹏城半导体技术(深圳)有限公司

PVD镀膜设备,分子束外延,磁控溅射仪,TGV/TSV,金刚石涂层装备,...

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鹏城半导体 PECVD设备 PC-006
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产品: 鹏城半导体 PECVD设备 PC-006 
品牌: 面议
有效期至: 长期有效
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产品简介

PECVD设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

双频技术,采用13.56MHZ射频电源和400KHZ中频电源。

射频电源用于控制等离子体的通量;中频电源用于控制等离子体的能量。

设备用途和功能特点

1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备,主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。

2、设备保护功能强,具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。

3、配置尾气处理装置。

设备安全性设计

1、电力系统的检测与保护

2、设置真空检测与报警保护功能

3、温度检测与报警保护

4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护

设备技术指标

类型 参数
样片尺寸 ≤φ8英寸(或多片2英寸)
样片加热台加热温度 室温~ 600℃±0.1℃
真空室极限真空 ≤7×10^-5Pa
工作背景真空 ≤8×10^-4Pa
设备总体漏放率 停泵12小时后,真空度≤10Pa
样品、电极间距 5mm ~ 50mm在线可调
工作控制压强 10Pa ~ 1500Pa
气体控制回路 根据工艺要求配置
单频电源的频率 13.56MHz
双频电源的频率 13.56MHz/400KHz


工作条件

类型 参数
供电 三相五线制 AC 380V
工作环境温度 10℃~ 40℃
气体阀门供气压力 0.5MPa ~ 0.7MPa
质量流量控制器输入压力 0.05MPa ~ 0.2MPa
冷却水循环量 0.6m^3/h 水温18℃~ 25℃
设备总功率 7kW
设备占地面积 2.0m ~ 2.0m

PECVD及太阳能薄膜电池设备


关于我们

鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点,寻求创新yin*ling与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

鹏城微纳技术(沈阳)有限公司是鹏城半导体技术(深圳)有限公司全资子公司,是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。

公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造,可为用户提供工艺研发和打样,可为生产企业提供生产型设备,可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整,有工程师哈工大教授和博士,为核心的高水平材料研究和工艺研究团队,还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

公司团队技术储备及创新能力

2024~2026

-与军工和核工业客户合作取得突破(核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长

-鹏城微纳子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层

-高新技术企业

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关;

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573;

-创新型中小企业;

-获50+项相关zhuan*li;

-企业信用评价AAA级信用企业;ISO三ti*xi*ren*zheng;

-子公司晶源半导体成立

2022

-子公司鹏城微纳成立

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi证书

2021

-鹏城半导体技术(深圳)有限公司成立

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2017

-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2007

-设计超高温CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)

2005

-设计制造了zhong*guo*di*yi*台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备),用于外延光电半导体材料

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

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