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PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。
设备用途和功能特点
1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
3、配置尾气处理装置。
设备安全性设计
1、电力系统的检测与保护
2、设置真空检测与报警保护功能
3、温度检测与报警保护
4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护
5、工艺气路含防交叉污染装置
设备技术指标
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类型 |
参数 |
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样片尺寸 |
≤φ8英寸（或多片2英寸） |
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样片加热台加热温度 |
室温～ 600℃±0.1℃ |
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真空室极限真空 |
≤3×10-5Pa |
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工作背景真空 |
≤4×10-4Pa |
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设备总体漏放率 |
停泵12小时后，真空度≤10Pa |
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样品、电极间距 |
5mm ～ 50mm在线可调 |
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工作控制压强 |
10Pa ～ 1500Pa |
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气体控制回路 |
根据工艺要求配置 |
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单频电源的频率 |
13.56MHz |
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双频电源的频率 |
13.56MHz/400KHz |
工作条件
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类型 |
参数 |
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供电 |
三相五线制 AC 380V |
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工作环境温度 |
10℃～ 40℃ |
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气体阀门供气压力 |
0.5MPa ～ 0.7MPa |
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质量流量控制器输入压力 |
0.05MPa ～ 0.2MPa |
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冷却水循环量 |
0.6m3/h 水温18℃～25℃ |
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设备总功率 |
7kW |
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设备占地面积 |
2.0m ～ 2.0m |
单室与多室PECVD设备
