品牌:面议
基片尺寸:平面矩形基片：≤350mm×120mm；单次装载量：4片
靶材尺寸:矩形磁控靶：400mm x100mm
膜厚均匀性:平面基片优于±3%，异形基片根据形状待定
高真空磁控溅射镀膜设备主要是用矩形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
也可用于TGV/TSV/TMV 先进封装的研发，高深径比（≥10:1）的深孔金属种子层镀膜。
主要特点
一机多用，支持平面、圆柱体、碗状/整流罩等多种形状基片镀膜。
基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
样品台可增加偏压装置，可用于深孔镀膜；可调控镀膜质量。
技术参数
产品型号：HITSemi-PVD-650SR
基片尺寸：平面矩形基片：≤350mm×120mm；单次装载量：4片；运动方式：公转，或单一定位；圆柱体工件：≤φ150×350mm；单次装载量：4片；运动方式：公转+自转，或单一定位自转；圆形基片：≤φ100mm；单次装载量：1片；运动方式：仅自转
靶材尺寸：矩形磁控靶：400mm x100mm；圆形磁控靶：φ3英寸
磁控溅射靶数量：2支~4支（可选配）
适用材料：金属、绝缘材料、铁磁材料均可
腔体材质：304/316（选配）不锈钢，电解抛光
真空系统：分子泵+干泵机组
极限真空：8.0x10-5Pa
恢复工作背景真空：大气至8.0×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气）
设备总体漏放率：关机12小时真空度≤8Pa
溅射方式：单独溅射
工艺电源：射频电源、中频电源、HIPIMS高能脉冲电源、直流脉冲电源、直流溅射电源
基片台加热温度：φ100mm基片工件台，可加热温度最高约600℃；其它工件台，可加热温度最高约300℃
多功能工件台：可旋转、可加热、可加偏压
膜厚均匀性：平面基片优于±3%，异形基片根据形状待定
控制形式：半自动/全自动
工艺气体：3路（N2、Ar、O2）
基片台偏压：可选配
等离子清洗源：可选配
膜厚监控：可选配
恒温制冷水箱：可选配
空气压缩机：可选配
设备工作条件
供电：三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω
功率：根据设备规模配置，峰值功率（10KW~80KW）
冷却水：≤100L/min
水压：0.1Mpa~0.15MPa
水温：18℃～25℃
气动部件供气压力：0.5MPa～0.7MPa
质量流量控制器供气压力：0.05MPa～0.2MPa
工作环境温度：18℃～40℃
工作环境湿度：≤50%