品牌:面议
基片尺寸:4"~8"
电子束蒸发源:最大功率10KW， e型电子枪
极限真空:5×10-5Pa
高真空电子束蒸发镀膜设备是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。
主要特点
真空度高、抽速快、基片装卸方便。
配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。
PID自动控温，成膜均匀、放气量小和温度均匀。
技术参数
产品型号：HITSemi-PVD-600EB
基片尺寸：4"~8"
电子束蒸发源：最大功率10KW，e型电子枪
坩埚数量：4穴/6穴（可选配）
电阻热蒸发源组件：1个~2个（可选配）；钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件；钨极或钨蓝热蒸发源组件
腔体材质：304/316（选配）不锈钢，电解抛光
真空系统：分子泵+机械泵
极限真空：5×10-5Pa
恢复工作背景真空：大气至7×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气）
设备总体漏放率：关机12小时真空度≤8Pa
工艺电源：电子枪电源、直流蒸发电源
基片台：基片台可加热600℃、可旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷（选配）
膜厚均匀性：优于±5%
控制形式：半自动/全自动
工艺气体：3路（N2、Ar、O2）（可选配）
等离子清洗源：可选配
膜厚监控：可选配
恒温制冷水箱：可选配
空气压缩机：可选配
设备工作条件
供电：三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω
功率：根据设备规模配置，峰值功率（20KW~30KW）
冷却水：≤100L/min
水压：0.1Mpa~0.15MPa
水温：18℃～25℃
气动部件供气压力：0.5MPa～0.7MPa
质量流量控制器供气压力：0.05MPa～0.2MPa
工作环境温度：10℃～40℃
工作环境湿度：≤50%