品牌:面议
基片尺寸:1" ~6“
电阻热蒸发源:1个～4个
极限真空:5×10-5Pa
高真空电阻热蒸发镀膜一体设备采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。
可用于材料的物理和化学研究。可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。
主要特点
真空度高、抽速快、基片装卸方便。
PID自动控温，成膜均匀、放气量小和温度均匀。
技术参数
产品型号：HITSemi-PVD-420TE
基片尺寸：1" ~6“
电阻热蒸发源：1个～4个
电阻热蒸发源组件：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件；石英舟热蒸发源组件；钨极或钨蓝热蒸发源组件；钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）；束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）
腔体材质：304/316（选配）不锈钢，电解抛光
真空系统：分子泵+机械泵
极限真空：5×10-5Pa
恢复工作背景真空：大气至7×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气）
设备总体漏放率：关机12小时真空度≤8Pa
工艺电源：直流蒸发电源、束源炉蒸发电源
基片台：基片台可加热600℃、可旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷（选配）
膜厚均匀性：优于±5%
控制形式：半自动/全自动
等离子清洗源：可选配
膜厚监控：可选配
恒温制冷水箱：可选配
空气压缩机：可选配
设备工作条件
供电：三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω
功率：根据设备规模配置，峰值功率（10KW~20KW）
冷却水：≤100L/min
水压：0.1Mpa~0.15MPa
水温：18℃～25℃
气动部件供气压力：0.5MPa～0.7MPa
质量流量控制器供气压力：0.05MPa～0.2MPa
工作环境温度：10℃～40℃
工作环境湿度：≤50%