品牌:面议
基片类型:不规则形状的散片、φ2～φ4英寸标准基片
最高温度:1100℃
膜层均匀性:优于±5％
小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备在低压高温的条件下，通过化学反应气相沉积的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
主要特点
小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本。
设备为水平卧式结构。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用。
设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
系统提供自动控制无扬尘装置。
技术参数
产品型号：HITSemi-LPCVD-150
基片类型：不规则形状的散片、φ2～φ4英寸标准基片
基片装载数量：标准基片：1片～2片；不规则尺寸散片：若干
基片放置方式：配置三种基片托架：竖直、水平卧式、带倾角
真空系统：机械泵、干泵（可选配）
炉管：石英管ø150mm，长度1200mm
恒温区长度：300mm
最高温度：1100℃
升温速率：0～50℃/min
恒温区控温精度：≤±1℃
工作压强范围：13Pa～1330Pa
压力控制：闭环充气式控制
膜层均匀性：优于±5％
装片方式：手动进出样品
工艺气体：SiH4 、NH3、N2O、N2
恒温制冷水箱：可选配
空气压缩机：可选配
注：不含尾气处理系统
设备工作条件
供电：三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω
功率：根据设备规模配置，峰值功率（20KW~30KW）
冷却水：≤100L/min
水压：0.1Mpa~0.15MPa
水温：18℃～25℃
气动部件供气压力：0.5MPa～0.7MPa
质量流量控制器供气压力：0.05MPa～0.2MPa
工作环境温度：10℃～40℃
工作环境湿度：≤50%