品牌:面议
最高温度:1150°C
工作温度:≤1100°C
膜层不均匀性:优于≤±5%
LPCVD设备配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置SiH4/NH3/N2O/N2/Ar，通过真空泵获得低压来实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的沉积。
设备主要应用于科研院校、高校、工矿企业等实验和小批量生产。
主要特点
炉膛具有良好的温度均匀性、保证工艺温区。
控温精度高、保温效果好、温度范围大。
工艺气路采用VCR连接，密封性好。
具有正负压显示，炉膛超压保护、超温保护，水流水压水温保护，断偶保护。
技术参数
产品型号：HITSemi-LPCVD-200
最高温度：1150°C
工作温度：≤1100°C
管数：1~2管（可定制）
炉管：进口石英；φ100mm~φ200mm，长度：1200mm（可定制）
恒温区长度：400mm
控温段数：3段；可以三段单独控制
升温速率：1°C/min~10°C/min可调
恒温区控温精度：±1°C
测温精度：±1%FS
温控保护：具有过温保护，断偶保护，漏电保护（加漏电保护器）等功能
工件压强范围：13Pa~1330Pa
膜层不均匀性：优于≤±5%
控温模式：控温模式：采用30段程序控温智能PID调节，微电脑控制，可编程式控温曲线，无需看守（全自动升、降、保温）
工艺气体：SiH4 、NH3 、N2O、N2
控制形式：半自动/全自动
控制系统：PLC+触摸屏
恒温制冷水箱：可选配
空气压缩机：可选配
注：不含尾气处理系统
设备工作条件
供电：三相五线制，AC 380V，50Hz
功率：约20KW
冷却水：≤150L/min
气动部件供气压力：0.5MPa～0.7MPa
质量流量控制器供气压力：0.05MPa～0.2MPa
工作环境温度：10℃～40℃
工作环境湿度：≤50%