品牌:面议
离子源频率:13.56MHz
清洗时间:1s~9999s 可调
抽真空时间:≤60s
电感、电容复合三维等离子体清洗机通过高频等离子电源将气体在真空下电离生成高活性等离子体。在低温环境下（接近室温），等离子体释放蓝紫色辉光（O2显蓝色、Ar呈深紫），其高能粒子与材料表面发生物理轰击及化学反应，精准实现表面清洁、活化、蚀刻等改性效果，赋予材料亲水性、疏水性或低摩擦特性。智能控制系统与气路系统确保工艺稳定，适用于复杂三维结构的高效处理。
可任意切换电容式/电感式激发等离子体方式。
电感、电容复合三维等离子体清洗机广泛应用于产品表面活化/清洗、蚀刻、去胶、通过其处理，能够改善材料表面的浸润能力，使多种材料能够进行涂覆、镀等操作，增强粘合力、键合力，同时去除有机污染物、油污或油脂。
主要特点
- 高效清洁与深度活化
全污染物清除：物理轰击与化学分解协同作用，去除有机物、无机物及颗粒。
深度活化：无方向性等离子体渗透微孔及复杂结构（如螺纹、盲孔），实现三维均匀清洗。
表面性能提升：微米级粗化，接枝-OH/-COOH，接触角可达到10°，附着力提升>80%。
- 环保安全与低温工艺
零污染排放：全程零溶剂，无废液/废气，符合RoHS标准，分解为CO2/H2O等无害物质。
低温工艺：低温处理（≤50°C）避免热敏材料（如塑料、薄膜）损伤。
- 经济高效
降本增效：单次处理仅需3分钟~10分钟，能耗为传统湿法30%，维护成本降低40%。
- 智能调控与工艺灵活
智能调控：气体/电场强度/真空度精准匹配，单机实现清洗、活化、蚀刻多功能切换。
技术参数
产品型号：HITSemi-Plasma-C
离子源功率：0~300W功率可调
离子源频率：13.56MHz
控制形式：半自动/全自动
清洗时间：1s~9999s 可调
工作真空度：10Pa~500Pa
极限真空度：10-1Pa
抽真空时间：≤60s
破真空时间：≤15s
设备总体漏放率：关机12小时真空度≤20Pa
内腔：方形腔体尺寸：240mm × 300mm × 150mm；石英腔体：φ250mm × 400mm
载物托盘：电极板数量：3层（单层电极板可调整测试）；载物电极板尺寸：230mm × 220mm
电极固定方式：插拔可拆卸；托盘置物高度：15mm~55mm可调
工艺气体：4路（N2、Ar、O2、H2选配）
控制系统：PLC+触摸屏
设备工作条件
供电：AC 220V（±10V）50/60Hz
功率：3KW
冷却水：≤100L/min
气动部件供气压力：0.5MPa～0.7MPa
质量流量控制器供气压力：0.05MPa～0.2MPa
工作环境温度：10℃～40℃
工作环境湿度：≤50%