品牌:面议
离子源功率:0~200W功率可调
清洗时间:1s~9999s 可调
真空度:＜80Pa
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利用磁场的能量来激发和维持等离子体。将一组线圈（通常是平面线圈或螺旋线圈）绕在或置于反应腔室周围（或顶部），并施加高频交流电。交变电流在线圈中产生一个强大的交变磁场，这个变化的磁场根据法拉第电磁感应定律，在反应腔内感应出强大的涡旋电场。感应出的涡旋电场使电子加速，最终激发气体产生等离子体。
高密度的活性自由基使其在化学清洗方面效率极高。可清洗三维立体工件和异形工件。非常适合处理对离子轰击敏感的材料和器件，如半导体芯片、微电子机械系统（MEMS）、高级封装等。
主要特点
小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本。
处理温和均匀，适合精细、敏感器件。
无电极污染，洁净度高。
技术参数
产品型号：HITSemi-Plasma-C2
离子源功率：0~200W功率可调
离子源频率：13.56MHz
控制形式：半自动/全自动
清洗时间：1s~9999s 可调
真空度：＜80Pa
真空泵：抽气速率：4L/S（油雾过滤）
内腔（圆形）：尺寸：φ160mm × 210mm；材质：石英玻璃
载物托盘：玻璃托盘，平行放置
工艺气体：2路（N2、Ar、O2、H2选配）
控制系统：PLC+触摸屏
设备工作条件
供电：AC 220V（±10V）50/60Hz
功率：1.5KW
工作环境温度：10℃～40℃
工作环境湿度：≤50%