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- 2026-06-26 14:29
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- 高真空超洁净气氛炉 HITSemi-VAF-1500
- 2026-06-26 14:29
- 高真空超洁净气氛炉集真空抽气系统、真空炉膛、温度控制系统、气路系统、压力保护系统为一体。炉衬使用多层钨钼金属反射屏制作而
- 水平真空管式炉 HITSemi-VTF-260
- 2026-06-26 14:29
- 水平真空管式炉配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置N2/Ar，通过真空泵获得低压来实现工件的热工艺。设备主要应用于科研院校
- 小型等离子清洗机（电感式）HITSemi-Plasma-C2
- 2026-06-26 14:29
- 利用磁场的能量来激发和维持等离子体。将一组线圈（通常是平面线圈或螺旋线圈）绕在或置于反应腔室周围（或顶部），并施加高频交
- 小型等离子清洗机（电容式）HITSemi-Plasma-C1
- 2026-06-26 14:29
- 利用电场的能量来激发和维持等离子体。在平行电极板上施加高频的交流电压。强大的交变电场使反应气体中的自由电子加速，这些高能
- 电感、电容复合三维等离子体清洗机
- 2026-06-26 14:28
- 电感、电容复合三维等离子体清洗机通过高频等离子电源将气体在真空下电离生成高活性等离子体。在低温环境下（接近室温），等离子
- 小型HFCVD 热丝化学气相沉积设备
- 2026-06-26 14:28
- 小型HFCVD 热丝化学气相沉积设备，主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的科学研究。可用于力学级、热学级、光学级、声学级的金刚石
- 小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备
- 2026-06-26 14:28
- 小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅、氧化硅和多晶硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子
- LPCVD设备 HITSemi-LPCVD-200
- 2026-06-26 14:28
- LPCVD设备配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置SiH4/NH3/N2O/N2/Ar，通过真空泵获得低压来实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的
- 小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备
- 2026-06-26 14:28
- 小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备在低压高温的条件下，通过化学反应气相沉积的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、S
- 高真空电阻热蒸发镀膜一体设备
- 2026-06-26 14:28
- 高真空电阻热蒸发镀膜一体设备采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单
- 高真空电子束蒸发镀膜设备
- 2026-06-26 14:28
- 高真空电子束蒸发镀膜设备是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学
- 高真空磁控溅射镀膜设备（矩形靶）
- 2026-06-26 14:28
- 高真空磁控溅射镀膜设备主要是用矩形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反
- 高真空磁控溅射镀膜设备（圆形平面靶，柜式一体机）
- 2026-06-26 14:28
- 高真空磁控溅射镀膜设备主要是用圆形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反
- 超高真空高能脉冲磁控溅射镀膜设备
- 2026-06-26 14:28
- 超高真空高能脉冲磁控溅射镀膜设备，是在超洁净环境下，采用纳米及原子级制造技术，生长高纯度高质量薄膜。应用场景之一：GaN单
- 鹏城半导体 高真空电子束蒸发镀膜机 PC-004
- 2026-04-16 11:27
- 高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机）是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、
- 鹏城微纳 LPCVD 低压化学气相沉积设备
- 2026-01-30 11:28
- 设备结构及特点1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：
- 鹏城微纳 PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备
- 2026-01-30 11:28
- 设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设
- 鹏城微纳 HFCVD 热丝化学气相沉积设备
- 2026-01-30 11:28
- 金刚石薄膜生产线 热丝CVD金刚石设备
- 鹏城微纳 分子束外延薄膜生长设备（MBE）
- 2026-01-30 11:28
- 分子束外延薄膜生长设备（MBE）（分子束外延MBE）该设备可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一