台积电宣布研发2nm工艺,先进制程逼近物理极限本周全球知名半导体公司台积电宣布正式启动2nm工艺的研发,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。按照台积电给出的指标,2nm工艺是一个重要节点,metalTrack和3nm一样维持在5x,同时GatePitch缩小到30nm,metalPitch缩小到20nm,相比于3nm都小了23%。我们认为,随着制程工艺越来越接近半导体的物理极限,制程微缩难度将越来越大,具有制程升级的半导体公司数量减少。目前中芯国际14nm制程量产在即,12nm工艺也进入研发攻坚阶段。先进制程升级难度的加大,将给中芯国际这样的技术追随者提供更多的追赶时间。

中微半导体过会,半导体设备龙头引领设备国产化趋势本周科创板股票上市委员会2019年第7次审议会议结果显示,同意中微半导体设备股份有限公司发行上市。中微半导体是我国半导体设备的龙头,主要产品是等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备。目前公司的5nm等离子刻蚀机已经通过台积电验证;公司的第二代PrimoA7MOCVD设备,已在国内全面取代德国Aixtron和美国Veeco的设备,根据HISMarket的数据,2018年公司氮化镓基MOCVD设备占据全球新增设备市场41%的市场份额。我们认为设备和材料是半导体产业链重要环节,产值约达到全产业链价值四分之一。而目前产业链主要被应用材料、东京电子和ASML等外国厂商主导。中微在刻蚀和MOCVD等领域的突破也将带动上游零部件的国产化水平。在高端芯片寻求国产替代的大背景下,设备国产化将成为关键环节,半导体设备龙头北方华创和中微半导体将会受益。

重点标的:重点推荐:北方华创、精测电子、京东方A、锐科激光、兆易创新;受益标的:立讯精密、韦尔股份、圣邦股份、景旺电子、海康威视、至纯科技l风险提示:下游需求不及预期;项目进展不及预期。