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SiC碳化硅二极管 SiC MOSFET
发布时间:2021-10-17        浏览次数:116        返回列表
碳化硅MOSFET
产品详情


碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

新一代采用辅助源极连接方式的碳化硅 MOSFET(TO-247-4)可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现。

MOS.jpg

碳化硅MOSFET

Product

VDS

(V)

ID

(A)

RDS(on)

(mΩ)

Qg

(nC)

Eon

(µJ)

Eoff

(µJ)

Package Name


B1M160120HC 1200 20 160 60 63 72 TO-247-3 样品申请
B1M080120HC 1200 44 80 149 254

180

TO-247-3

样品申请

B1M080120HK
1200 44 80 149 163 77 TO-247-4 样品申请
B1M032120HC 1200 84 32 314 1215

463

TO-247-3

样品申请

B1M018120HC 1200 114 18 636 1350 7320 TO-247-3 样品申请


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