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利用电场的能量来激发和维持等离子体。在平行电极板上施加高频的交流电压。强大的交变电场使反应气体中的自由电子加速，这些高能电子与气体分子发生碰撞，使其电离、分解，从而形成等离子体。
离子定向性强，能量高，对于去除顽固的污染物（如油脂、指纹）和进行表面蚀刻、粗化效果非常好。适用于平面基片的清洗。
主要特点
小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本。
物理溅射能力强。适合处理顽固污染物。
技术参数
产品型号：HITSemi-Plasma-C1
等离子源功率：300W（60%~100%连续可调）
等离子源频率：40KHz/13.56MHz
控制形式：半自动/全自动
清洗时间：1s ~9999s 可调
真空度：＜80Pa
真空泵：抽气速率：2L/S（油雾过滤）
内腔（圆形）：尺寸：φ150mm × 280mm；材质：316不锈钢
有效处理空间：130mm × 245mm
处理温度：＜60°
极板布局：平行电极板：功率极板（1）+不锈钢托盘（1）
工艺气体：2路（N2、Ar、O2、H2选配）
控制系统：PLC+触摸屏
设备工作条件
供电：AC 220V（±10V）50/60Hz
功率：1.5KW
工作环境温度：10℃～40℃
工作环境湿度：≤50%