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LPCVD低压化学气相沉积设备（科研型LPCVD）是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
设备结构及特点
1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。
基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
3、系统提供自动控制无扬尘装置
LPCVD设备主要技术指标
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类型 |
参数 |
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成膜类型 |
Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
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最高温度 |
1200℃ |
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恒温区长度 |
根据用户需要配置 |
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恒温区控温精度 |
≤±0.5℃ |
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工作压强范围 |
13～1330Pa |
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膜层不均匀性 |
≤±5％ |
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基片每次装载数量 |
标准基片：1～3片；不规则尺寸散片:若干 |
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压力控制 |
闭环充气式控制 |
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装片方式 |
手动进出样品 |
设备功能
该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相关镀膜工艺。
设备结构及特点：
设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标
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类型 |
参数 |
|
成膜类型 |
Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
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最高温度 |
1200℃ |
|
恒温区长度 |
根据用户需要配置 |
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恒温区控温精度 |
≤±0.5℃ |
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工作压强范围 |
13～1330Pa |
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膜层不均匀性 |
≤±5％ |
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基片每次装载数量 |
100片 |
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设备总功率 |
16kW |
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冷却水用量 |
2m3/h |
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压力控制 |
闭环充气式控制 |
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装片方式 |
悬臂舟自动送样 |
LPCVD手动运行界面
LPCVD实时运行监控界面
LPCVD自动运行界面
LPCVD工艺编制界面